La empresa alemana logró fabricar dispositivos de potencia funcionales sobre obleas de carburo de silicio de mayor diámetro en Austria. La tecnología apunta a mejorar la capacidad industrial de fabricación de chips para vehículos eléctricos, energías renovables, sistemas de almacenamiento y maquinaria industrial.
La compañía alemana Infineon Technologies consiguió fabricar semiconductores de potencia funcionales utilizando obleas de carburo de silicio (SiC) de 300 milímetros de diámetro en su planta de Villach, Austria. El desarrollo, anunciado el 9 de noviembre de 2026, representa un avance en la fabricación industrial de componentes electrónicos capaces de operar con altos voltajes y temperaturas, y abre la posibilidad de obtener 2,3 veces más chips por oblea respecto de los actuales formatos de 200 milímetros.
El resultado se alcanzó utilizando equipos industriales originalmente destinados al procesamiento de silicio convencional, lo que demuestra la viabilidad técnica de incorporar obleas de carburo de silicio de mayor tamaño en instalaciones de fabricación de semiconductores existentes.
La innovación tiene implicancias para sectores intensivos en electricidad, entre ellos la electromovilidad, la generación renovable, los centros de datos y la minería, donde los sistemas electrónicos de potencia cumplen funciones fundamentales en motores industriales, variadores de frecuencia, convertidores eléctricos y equipos de almacenamiento energético.
Aunque todavía no existe una fecha definida para iniciar su producción comercial a gran escala, el avance constituye una etapa relevante en el desarrollo de una tecnología que busca aumentar la disponibilidad de semiconductores de alta eficiencia energética.
Obleas de 300 mm permiten obtener 2,3 veces más chips
La principal diferencia entre las nuevas obleas de carburo de silicio y las utilizadas actualmente en buena parte de la industria está relacionada con su tamaño.
Una oblea es una lámina circular de material semiconductor sobre cuya superficie se fabrican simultáneamente numerosos dispositivos electrónicos.
Una vez completado el procesamiento, la lámina se divide para obtener los componentes individuales destinados a distintos equipos eléctricos.
En el caso del carburo de silicio, pasar de un diámetro de 200 a 300 milímetros representa un aumento considerable de la superficie disponible para fabricar dispositivos.
La superficie geométrica aumenta aproximadamente 2,25 veces, mientras que Infineon estima que las nuevas obleas permitirían producir alrededor de 2,3 veces más chips por unidad procesada.
Esta mejora ofrece la posibilidad de elevar la productividad de las instalaciones industriales y distribuir determinados costos de fabricación entre una mayor cantidad de componentes.
Sin embargo, la ventaja económica final dependerá del rendimiento de fabricación, la proporción de chips funcionales obtenidos y los costos asociados al procesamiento de las nuevas obleas.
La transición hacia diámetros mayores también exige controlar defectos cristalinos, tensiones mecánicas y otras variables que pueden afectar la calidad de los dispositivos.
Por esta razón, fabricar componentes funcionales en una instalación industrial representa un avance técnico, pero no significa que la producción comercial masiva esté completamente resuelta.
El carburo de silicio permite reducir pérdidas eléctricas
El carburo de silicio es un material semiconductor compuesto por silicio y carbono que presenta propiedades diferentes de las del silicio convencional.
Una de sus principales características es su amplia banda prohibida, una propiedad electrónica que facilita el desarrollo de dispositivos capaces de soportar mayores tensiones eléctricas y funcionar bajo condiciones térmicas exigentes.
Estas características permiten fabricar componentes de potencia utilizados para controlar, transformar y distribuir electricidad.
Entre sus aplicaciones destacan los inversores de tracción de vehículos eléctricos, cargadores de baterías, convertidores industriales y equipos de almacenamiento energético.
Los dispositivos basados en carburo de silicio pueden presentar menores pérdidas de energía durante determinadas operaciones de conmutación y conversión eléctrica.
También permiten desarrollar sistemas con mayor densidad de potencia, reduciendo potencialmente el tamaño de algunos componentes y las necesidades de refrigeración.
Su comportamiento resulta especialmente atractivo para instalaciones que deben procesar grandes cantidades de electricidad de manera continua.
En una operación industrial, pequeñas mejoras de eficiencia pueden adquirir relevancia cuando se aplican a numerosos equipos de elevada potencia.
No obstante, el ahorro energético depende de las características de cada instalación y de la tecnología que se reemplaza.
Infineon utiliza infraestructura industrial existente en Austria
Uno de los aspectos más relevantes del desarrollo es que las pruebas realizadas en Villach utilizaron equipamiento previamente instalado para fabricar semiconductores convencionales de silicio.
Esto demuestra que determinadas etapas de procesamiento de obleas de carburo de silicio de 300 milímetros pueden ejecutarse aprovechando infraestructura industrial existente.
La posibilidad de reutilizar equipos representa una ventaja potencial frente a la construcción de líneas de fabricación completamente nuevas.
No obstante, la producción comercial requerirá demostrar estabilidad de los procesos, rendimientos adecuados y capacidad para mantener niveles consistentes de calidad.
Infineon continuará trabajando con clientes y socios industriales para definir la evolución de esta tecnología y evaluar los plazos de ampliación de capacidad.
Paralelamente, mantendrá su desarrollo de semiconductores de carburo de silicio basados en obleas de 200 milímetros.
La compañía busca ampliar progresivamente sus capacidades de fabricación para atender sectores donde la demanda de electrónica de potencia está vinculada con la electrificación de procesos industriales y el crecimiento del consumo eléctrico.
Nueva tecnología reduce desperdicios durante el corte de cristales
El avance también incluye una segunda innovación desarrollada en Alemania.
En su instalación de Dresde, Infineon comprobó la viabilidad de utilizar su tecnología denominada Cold Split para separar obleas de carburo de silicio de 300 milímetros a partir de bloques cristalinos.
Estos bloques, conocidos como boules, constituyen la materia prima desde la cual se obtienen las láminas utilizadas posteriormente en la fabricación de semiconductores.
Tradicionalmente, la separación de obleas puede realizarse mediante sistemas de corte con hilo abrasivo, un procedimiento que produce pérdidas de material durante el proceso.
La tecnología Cold Split busca reducir esas pérdidas y disminuir el tiempo necesario para obtener nuevas obleas.
Su aplicación permitiría aprovechar una mayor proporción del cristal disponible y potencialmente reducir los requerimientos de inversión asociados a determinadas etapas de fabricación.
Las pruebas realizadas en Dresde y Villach corresponden a procesos complementarios.
Mientras la instalación alemana comprobó la posibilidad de separar obleas de mayor diámetro, la planta austríaca consiguió transformarlas en dispositivos electrónicos funcionales.
La combinación de ambas capacidades ofrece una base tecnológica para evaluar la industrialización de obleas de 300 milímetros.
La minería podría beneficiarse mediante motores y sistemas eléctricos más eficientes
El desarrollo tiene aplicaciones potenciales para la industria minera, especialmente en operaciones donde los motores eléctricos y sistemas electrónicos de potencia representan una parte relevante del consumo energético.
Las plantas concentradoras de cobre, por ejemplo, utilizan equipos eléctricos de gran capacidad en procesos de chancado, molienda, bombeo y transporte de materiales.
En estas instalaciones, los variadores de frecuencia permiten controlar la velocidad de determinados motores y ajustar su funcionamiento a las necesidades del proceso.
Los semiconductores de potencia son componentes fundamentales de estos sistemas.
La incorporación de tecnologías basadas en carburo de silicio podría contribuir a mejorar la eficiencia de determinados convertidores, reducir pérdidas eléctricas y desarrollar equipos más compactos.
También existen oportunidades en sistemas de carga para maquinaria minera electrificada y en infraestructura de almacenamiento energético utilizada para respaldar operaciones industriales.
En Chile, donde la minería del cobre concentra una elevada demanda de electricidad, estas tecnologías podrían adquirir relevancia a medida que aumente la electrificación de equipos y procesos.
Sin embargo, su aplicación en minería dependerá de factores como potencia requerida, condiciones ambientales, costos de adquisición, disponibilidad de equipos y compatibilidad con la infraestructura existente.
El desarrollo de obleas de mayor tamaño no implica automáticamente una reducción inmediata de los costos energéticos de las faenas, pero podría favorecer la disponibilidad futura de componentes utilizados en sistemas eléctricos de alta eficiencia.
Infineon también invierte 1.100 millones de euros en semiconductores de nitruro de galio
La apuesta tecnológica de Infineon no se limita al carburo de silicio.
El 27 de octubre de 2026, la empresa anunció una inversión cercana a 1.100 millones de euros para desarrollar una instalación de producción de semiconductores de potencia basados en nitruro de galio (GaN), también sobre obleas de 300 milímetros, en Villach.
El nitruro de galio pertenece igualmente a la familia de materiales semiconductores de banda prohibida ancha.
Sus propiedades permiten fabricar dispositivos utilizados en distintas aplicaciones de conversión eléctrica de alta eficiencia.
Con esta estrategia, Infineon busca desarrollar capacidades industriales sobre tres plataformas tecnológicas: silicio, carburo de silicio y nitruro de galio.
Cada material presenta ventajas y limitaciones dependiendo del voltaje, la frecuencia de operación, la potencia requerida y los costos del sistema.
La inversión anunciada para GaN es independiente del avance experimental de las obleas de carburo de silicio de 300 milímetros. Por ahora, no se ha confirmado una inversión equivalente destinada específicamente a industrializar estas últimas.
La diversificación tecnológica apunta a responder a un mercado donde la electrificación del transporte, la automatización industrial y la expansión de infraestructura energética requieren componentes cada vez más especializados.
Centros de datos e inteligencia artificial amplían las aplicaciones
Otro mercado relevante para estos dispositivos corresponde a los centros de datos utilizados para inteligencia artificial.
Estas instalaciones demandan sistemas capaces de suministrar grandes cantidades de electricidad a servidores y equipos de procesamiento.
La creciente concentración de capacidad computacional aumenta la importancia de reducir pérdidas durante la transformación y distribución eléctrica.
Los semiconductores de carburo de silicio pueden utilizarse en fuentes de alimentación, transformadores de estado sólido, sistemas de respaldo y equipos de protección eléctrica.
La misma tecnología también tiene aplicaciones en estaciones de carga rápida para vehículos eléctricos y sistemas industriales de almacenamiento mediante baterías.
En ambos casos, la conversión eficiente de electricidad constituye un requisito operacional relevante.
La expansión de estos mercados genera nuevas oportunidades para la industria de semiconductores, pero también incrementa la necesidad de desarrollar capacidades de fabricación suficientes para responder a la demanda futura.
La industrialización será el próximo desafío
Infineon presentará públicamente la oblea procesada de carburo de silicio de 300 milímetros durante la feria electrónica electronica 2026, que se desarrolla en Múnich, Alemania, entre el 10 y el 13 de noviembre.
La demostración permitirá exhibir el resultado de las pruebas industriales, aunque todavía quedan etapas pendientes antes de alcanzar una producción comercial de gran volumen.
Entre los aspectos por resolver se encuentran la estabilidad de fabricación, el rendimiento de los dispositivos, la disponibilidad de cristales de gran diámetro y la competitividad económica frente a tecnologías existentes.
La compañía deberá determinar junto con sus clientes y socios industriales cuándo resulta conveniente avanzar hacia una mayor capacidad productiva.
El interés económico de la innovación está en fabricar una mayor cantidad de componentes utilizando obleas más grandes, con el potencial de mejorar la productividad y aprovechar infraestructura disponible.
Para industrias electrointensivas como la minería, su importancia dependerá de cómo estos avances se traduzcan posteriormente en equipos comerciales con menores pérdidas energéticas, costos competitivos y capacidad para operar de manera confiable bajo condiciones industriales exigentes.
La evolución del carburo de silicio de 300 milímetros abre una nueva etapa para la electrónica de potencia, con posibles efectos sobre la electrificación minera, el almacenamiento de energía y la eficiencia de los sistemas eléctricos industriales.
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¿Qué logró fabricar Infineon Technologies en su planta de Villach, Austria?
Infineon Technologies logró fabricar semiconductores de potencia funcionales utilizando obleas de carburo de silicio de 300 milímetros de diámetro en su planta de Villach, Austria.
¿Cuál es la ventaja de utilizar obleas de carburo de silicio de 300 milímetros en comparación con las de 200 milímetros?
Las obleas de 300 milímetros permiten obtener aproximadamente 2,3 veces más chips por unidad procesada en comparación con las de 200 milímetros, lo que ofrece la posibilidad de elevar la productividad y distribuir costos de fabricación entre una mayor cantidad de componentes.
¿Qué aplicaciones tiene el carburo de silicio en la industria?
El carburo de silicio se utiliza en la fabricación de componentes de potencia para controlar, transformar y distribuir electricidad, con aplicaciones en inversores de tracción de vehículos eléctricos, cargadores de baterías, convertidores industriales y equipos de almacenamiento energético.
¿Cómo podría beneficiarse la industria minera del desarrollo de obleas de carburo de silicio de 300 milímetros?
La industria minera podría beneficiarse mediante motores eléctricos y sistemas electrónicos de potencia más eficientes, especialmente en operaciones donde estos sistemas representan una parte relevante del consumo energético, como en plantas concentradoras de cobre.
¿Qué tecnología desarrolló Infineon en su instalación de Dresde para mejorar el proceso de fabricación de obleas?
Infineon desarrolló la tecnología Cold Split en su instalación de Dresde, que permite separar obleas de carburo de silicio de 300 milímetros a partir de bloques cristalinos, reduciendo pérdidas de material y el tiempo necesario para obtener nuevas obleas.
